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Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准

—— AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

2013-12-13 14:15:18   来源:互联网    查看次数:328         
简介: 2013 年 12 月12 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942E ...
关键字:Vishay MOSFET
 2013 年 12 月12 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里,比使用分立MOSFET的方案节省空间,低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。

  日前发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET,为降低传导损耗,增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作,具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统,例如收音机和GPS系统。

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准

  SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下,SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ,沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比,SQJ940EP的低边导通电阻低31%,而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ,高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。

        SQJ940EP产品数据表链接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121018

        SQJ942EP产品数据表链接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121019

  这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS,无卤素。

  器件规格表:

编号

SQJ940EP

SQJ942EP

通道

1

2

1

2

VDS (V)

40

40

VGS (V)

± 20

± 20

最大RDS(ON) (mΩ) @

10 V

16

6.4

22

11

4.5 V

18.5

7.6

26

13

  SQJ940EP和SQJ942EP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

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